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三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能

在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
關(guān)鍵字： 202409 三相集成GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 GaN

利用噪聲系數(shù)度量分析射頻電路中的噪聲

關(guān)于射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析，通過(guò)示例了解噪聲系數(shù)度量，包括本規(guī)范的關(guān)鍵方面。除了一些特定的應(yīng)用，例如，當(dāng)需要抖動(dòng)效果時(shí)，噪聲通常是一種不想要的現(xiàn)象?？茖W(xué)家和工程師已經(jīng)表征了不同電路元件產(chǎn)生的噪聲，并開(kāi)發(fā)了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設(shè)計(jì)中，我們通常將噪聲效應(yīng)建模為輸入?yún)⒖荚肼曤妷汉碗娏髟?。然而，在射頻（RF）設(shè)計(jì)中，噪聲系數(shù)度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數(shù)度量，強(qiáng)調(diào)該規(guī)范的一些微妙之處，最后看一個(gè)例子來(lái)澄清所討論的概念。射頻模擬設(shè)計(jì)中的噪聲分析我們通常用
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單級(jí)小信號(hào) RF 放大器設(shè)計(jì)

本文要點(diǎn)：? 小信號(hào) RF 放大器的用途。? 用于小信號(hào) RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級(jí)小信號(hào) RF 放大器的設(shè)計(jì)步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會(huì)放大它們接收到的輸入信號(hào)?；镜姆糯笃麟娐酚呻p極結(jié)型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區(qū)運(yùn)行。晶體管的有源區(qū)用于放大目的。當(dāng)晶體管偏置為有源區(qū)時(shí)，施加在輸入端子上的輸入信號(hào)會(huì)使輸出電流出現(xiàn)波動(dòng)。波動(dòng)的輸出電流流過(guò)輸出電阻，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號(hào)且（與靜態(tài)工作點(diǎn)相比）輸出電流波動(dòng)較小，它們稱為
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
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CAGR達(dá)49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模或升至43.76億美元

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，C
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TrendForce：預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。報(bào)告顯示，非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
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TrendForce：預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模 43.76 億美元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá) 49%

IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對(duì) GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當(dāng)前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復(fù)合年均增長(zhǎng)率）達(dá) 49%。據(jù)介紹，消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來(lái)，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng)，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過(guò)戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì)，會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過(guò)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗（即單位面積上可達(dá)到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢(shì)，氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
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RF ADC為什么有如此多電源軌和電源域？

在采樣速率和可用帶寬方面，當(dāng)今的射頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(RF ADC)已有長(zhǎng)足的發(fā)展，其中還納入了大量數(shù)字處理功能，電源方面的復(fù)雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長(zhǎng)情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡(luò)。早期ADC采樣速度很慢，大約在數(shù)十MHz內(nèi)，而數(shù)字內(nèi)容很少，幾乎不存在。電路的數(shù)字部分主要涉及如何將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節(jié)點(diǎn)幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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氮化鎵（GaN）的最新技術(shù)進(jìn)展

本文要點(diǎn)? 氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。? 氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導(dǎo)體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術(shù)。氮化鎵技術(shù)使移動(dòng)設(shè)備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經(jīng)常用于一些轉(zhuǎn)換器和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。通過(guò)氮化鎵材料的電流比通過(guò)硅半導(dǎo)體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術(shù)如何顛覆整個(gè)行業(yè)。氮化
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Guerrilla RF宣布收購(gòu)Gallium GaN技術(shù)

近期，Guerrilla RF宣布收購(gòu)了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產(chǎn)品組合。Guerrilla RF表示，通過(guò)此次收購(gòu)，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現(xiàn)有的元件、正在開(kāi)發(fā)的新內(nèi)核以及相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。公司將為無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、軍事和衛(wèi)星通信應(yīng)用開(kāi)發(fā)新的GaN器件產(chǎn)品線并實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Guerrilla RF官方經(jīng)銷商Telcom International的一位員工表示，公司計(jì)劃向韓國(guó)市場(chǎng)供應(yīng)Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購(gòu)Tagore專有且經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的功率氮化鎵（GaN）技術(shù)及IP產(chǎn)品組合，以突破汽車、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心等廣泛電源應(yīng)用的效率和性能界限。資料顯示，無(wú)晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開(kāi)拓用于射頻和電源管理應(yīng)用的GaN-on-Si半導(dǎo)體技術(shù)，在美國(guó)伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設(shè)有設(shè)計(jì)中心。格芯表示，此次收購(gòu)進(jìn)一步鞏固公司對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)GaN技術(shù)的決心，該技術(shù)提供多種優(yōu)勢(shì)，可幫助數(shù)據(jù)中心滿足不斷增長(zhǎng)的電力需求，
關(guān)鍵字：晶圓代工格芯 GaN